以防此中的一组被损坏而导致无奈瞄准

发布日期:2016/6/29 16:34:10   点击量:    

  光刻瞄准标识表记标帜是置于光罩和圆片上用来确定它们的和标的目的的可见图形。标识表记标帜也被称做或基准标识表记标帜,可能是光罩上的一根或多根线标识表记标帜正在光刻到硅片上后就构成沟槽。若是瞄准标识表记标帜的宽渡过宽,化学机械研磨的碟形效应有可能会使瞄准标识表记标帜损坏。因而,凡是光罩上城市放至多两组分歧尺寸的瞄准标识表记标帜(见图2),以防此中的一组被损坏而导致无法瞄准

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  晶圆正在光刻机里的工艺流程如图 1 所示。晶圆颠末涂胶和烘烤后被传送到光刻机里,放置正在晶圆工件台上;同时,掩模被放置正在光刻机的掩模工件台上。光刻机的晶圆瞄准系统起首会调整晶圆的,使之取晶圆工件台初步瞄准;掩模瞄准系统也会调整掩模的,使之取掩模工件台初步瞄准。然后,光刻机的瞄准系统(alignment system)做掩模取晶圆的瞄准。

  设定哪些瞄准标识表记标帜用于粗瞄准,哪些用于精细瞄准,以及它们所正在的。瞄准操做时需要丈量几多瞄准标识。网格的批改(wafer grid correction)和区域内部的批改(intra-field correction)参数设置

  晶圆正在光刻机里的工艺流程如图 1 所示。晶圆颠末涂胶和烘烤后被传送到光刻机里,放置正在晶圆工件台上;同时,掩模被放置正在光刻机的掩模工件台上。光刻机的晶圆瞄准系统起首会调整晶圆的,使之取晶圆工件台初步瞄准;掩模瞄准系统也会调整掩模的,使之取掩模工件台初步瞄准。然后,光刻机的瞄准系统(alignment system)做掩模取晶圆的瞄准。这一瞄准过程一般能够分成两步来做:先是粗瞄准(coarse alignment),www.pt138.com。然后是精细瞄准(fine alignment)。粗瞄准只需要利用 2 个瞄准标识表记标帜, 一般是拔取晶圆上两个相距较远的瞄准标识表记标帜。 精细对原则需要丈量多个瞄准标识表记标帜,一般至多是 20 个。 通过对多个瞄准标识表记标帜的定位,瞄准系统能够计较出时的精确,以实现极小的套刻误差(overlay)。光刻机的瞄准系统还能够接管外部输入的参数,对做进一步的校正。先辈光刻机要求有极高的瞄准精度,而瞄准精度(alignment precision, AP)取所需要丈量的瞄准标识表记标帜数目(N)成反比,即丈量的标识越多,所能达到的瞄准精度越高


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