可提高MOS集成电的开关速率战事情频次

发布日期:2016/6/29 16:34:10   点击量:    

  正在双极型晶体管及其集成电的制制中,也多采用自瞄准工艺。例如,用微米级线宽的做掩模,再扩散杂质构成浓基区,以实现发射极取基区的自瞄准。又如超自瞄准工艺的次要工序是用凡是方式完成基区后,正在硅片上淀积一层未多晶硅,氧化掉不需要的部门。正在整个芯片上淀积氮化硅膜层和二氧化硅膜层。除发射区和集电极接触孔外,其他部位的二氧化硅膜全侵蚀掉。以二氧化硅膜做掩模,把硼注入到未多晶硅内,然后侵蚀掉氮化硅(稍微过侵蚀一点)。再采用选择侵蚀法把未多晶硅侵蚀去,的基区宽度小于1微米。采用热氧化,同时构成P□区。去掉氮化硅,不消掩模进行硼注入,自瞄准构成P□基区。再正在多晶硅发射极中掺入砷,扩散构成发射区。其他后续工序取凡是的双极型集成电工艺不异。用这种方式制成的双极型晶体管,实现了多晶硅发射极取P+基区的自瞄准,有较小的基区电阻和较小的发射极-基极结电容,多晶硅发射极和多晶硅基极间距小于1微米,提高了双极型集成电的速度,也提高了电的集成度。用这种手艺已制成存取时间为2.7纳秒发射极耦合逻辑电的1千位随机存储器。

  微电子手艺中操纵元件、器件布局特点实现规复印从动瞄准的手艺。晚期的MOS集成电采用的是铝栅工艺,起首正在硅单晶片上热氧化发展一层二氧化硅膜,经第一次光刻,正在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散窗口,用扩散法构成源和漏扩散区 (图1aMOS集成电铝栅工艺),接着正在硅片上构成新的二氧化硅层;再颠末第二次光刻,刻蚀出栅区,发展栅氧化层;然后,经光刻刻出引线孔,四季彩登录网址完成蒸铝和刻铝等后工序;最初构成MOS晶体管。由于栅区必需正在源和漏扩散区正两头,并需要稍笼盖源区和漏区,第二次光刻以及构成铝栅电极的那步光刻,都必需和第一次光刻的切确瞄准(图1bMOS集成电铝栅工艺)。不然,栅区取源区或漏区就可能跟尾不上,使沟道断开(图1cMOS集成电铝栅工艺),以致MOS晶体管无法工做。因而,设想这类晶体管时往往让栅区宽度(栅氧化膜及其上的铝栅电极两者)比源和漏扩散区的间距要大一些,光刻时使栅区的两头别离落正在源和漏扩散区上并有必然余量,由此便发生了较大的栅对源、漏的笼盖电容,使电的开关速度降低。

  声明:百科词条人人可编纂,词条建立和点窜均免费,毫不存正在及代办署理商付费代编,请勿上当。详情

  用多晶硅版刻出多晶硅图形,再用有源区版刻掉有源区上的氧化层,高温下以n型杂质对有源区进行扩散(1000℃摆布)。此时耐高温的多晶硅和下面的氧化层起掩蔽感化。

  随硅栅工艺的成长,已实现栅取源和漏的自瞄准。这种工艺是先正在发展有栅氧化膜的硅单晶片上淀积一层多晶硅,然后正在多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口,杂质经窗口热扩散到硅单晶片内,构成源和漏扩散区(图2MOS硅栅工艺自瞄准示企图),同时构成导电的多晶硅栅电极,其从动取源和漏的瞄准。按照这种自瞄准工艺,栅取源和漏的笼盖由杂质侧向扩散完成,比铝栅工艺的笼盖电容要小良多。采用离子注入工艺的杂质侧向扩散更小,用它取代硅栅工艺中的热扩散工艺,能进一步减小栅对源和漏的笼盖电容。此外,正在铝栅工艺中,即便铝栅电极比沟道短,也可添加一步离子注入工艺填充栅区旁的未跟尾部门,实现自瞄准(图3MOS铝栅工艺实现自瞄准的示企图),借以减小寄生电容,可提高MOS集成电的开关速度和工做频次,同时也减小器件尺寸而提高电的集成度。

  设想这类晶体管时往往让栅区宽度(栅氧化膜及其上的铝栅电极两者)比源和漏扩散区的间距要大一些,光刻时使栅区的两头别离落正在源和漏扩散区上并有必然余量,由此便发生了较大的栅对源、漏的笼盖电容,使电的开关速度降低。


Copyright 2019-2022 http://www.jhwyjt.com.cn 版权所有 未经协议授权禁止转载